托卡马克(Tokamak)是现今世界最具代表性的研究磁约束核聚变的装置,它需要通过辅助加热手段将等离子体温度和密度提高以产生核聚变反应。而中性粒子束注入是加热效率最高、物理机制最清楚的方式。为实现NBI在托卡马克上的稳定运行,世界上所有NBI无一例外的采用高压缓冲器(snubber)作为抑制短路电流保护离子源的重要手段。　　 本文的研究重点就是高压缓冲器以及高压缓冲器偏置电源。对缓冲器的研究,先在Fink的snubber分析方法基础上,分别导出高压缓冲器任意铁芯叠片层的感应电压、涡流电阻与铁芯叠片层饱和深度的关系;利用安培环路定律导出整个高压缓冲器随铁芯饱和深度变化的等效涡流电阻的表达式。　　 对1J51以及非晶材料进行测试,画出其B-H曲线,找到相应的饱和磁导率、未饱和磁导率和饱和点。然后根据上述结果对缓冲器尺寸进行修改,同时参照美国DIilD—NBI中缓冲器的设计方案,确定最终的缓冲器尺寸,加工出成品。对偏置电源进行拓扑和结构研究、仿真分析,然后加工出成品偏置电源。最后在实验室以及EAST-NBI实验大厅对成品缓冲器以及偏置电源进行性能测试,根据结果进行分析,最后得出结论:所设计的高压缓冲器以及偏置电源都满足了EAST-NBI的需要。　　 论文的创新点(贡献)在于采用理论同实际相结合的研究方式。可以说本论文所阐述的观点是经过大量理论推导、实验测试以及数据处理后得出的结论,具备科学研究的正确性以及合理性。