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ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂,尤其是近年来对稀释磁性半导体(Diluted Magnetic Semiconductors.DMSs)材料的研究越来越为人们所重视。DMS材料是在非磁性半导体(如Ⅳ-Ⅵ族、Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族)中掺杂过渡金属(如Fe,Mn,Co,Cr等),利用载流子控制技术产生磁性的新型功能材料。由于磁性离子局域磁矩与能带电子自旋存在交换作用,因此通过改变磁性杂