随着显示技术的不断发展和应用需求不断增长,透明导电薄膜成为研究的热点。尤其是氧化物透明导电薄膜如Sn O2基、Zn O基、In2O3基等薄膜,透明导电氧化物薄膜具有较高的禁带宽度,在可见光范围具有较高的透射率,同时又具有很低的电阻率特性,这就使得它具有可以替代传统金属系薄膜的优势,应用在显示等领域。目前随着新型显示技术的不断发展,新型透明导电薄膜以及新型制备技术的研究也受到越来越多的关注。本文使用全新的方式和工艺来制备氧化物透明导电薄膜:用ALD技术制备InON。在氧化物薄膜掺杂体系中,大多薄膜通过高价或者低价阳离子掺杂来产生更多载流子,从而达到掺杂目的。而本文用阴离子N来掺入In2O3制备InON薄膜,以PE-ALD来生长薄膜,通过调节生长工艺调控薄膜的电阻率和载流子浓度,其次本文生长的超薄透明导电薄膜具有良好的平整性能且具有很好的台阶覆盖功能,而且PE-ALD生长的薄膜还有对温度要求较低,均匀性好等优点。从而对于一些对台阶覆盖性以及厚度要求高、对温度要求低的器件提供更多的可能性。本文主要研究内容如下:1、探究InON的生长工艺,研究不同生长顺序、生长温度、等离子体功率、等离子体暴露时间等对薄膜电阻率和透光性的影响。通过霍尔效应测试薄膜的电阻率和载流子浓度。发现200℃制备的薄膜最低电阻率达到9.6×10-4Ω·cm,载流子浓度达到1020cm-3。2、探究了几种制备薄膜的工艺与掺杂元素含量以及电导率的关系,发现电导率最佳薄膜的N含量为6.45%,N含量过高或过低都导致电阻率增大。3、研究了退火条件对薄膜性能的影响,退火氛围分别为空气氛围和氩气氛围,同一种氛围设置不同的退火时间和退火温度,结果发现退火时间对薄膜电导率影响较小,氩气氛围中退火温度也对薄膜导电性无太大影响,但是在空气氛围中温度对薄膜电阻率和载流子浓度产生巨大影响。结合XPS、EPR以及霍尔效应等测试结果研究了薄膜的导电机理,得出影响薄膜导电性的主要原因可能是薄膜中的NOx-硝酸盐物质的含量,NOx-形成可以提供导电的载流子,但含量过高将导致F色心的形成,反过来束缚自由电子从而导致载流子浓度降低。4、本文采用优化工艺得到的透明导电薄膜的电阻率最低为9.25×10-4Ω·cm,载流子浓度为1.77×1020cm-3,迁移率30cm~2/Vs,可见光透射率达到92%。