AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管具有宽能隙(约3.4 Ev)、高崩溃电压、高临界崩溃电场以及高电子饱和漂移速率、高峰值电子速度、高电子饱和速率等优点,因此多运用在功率电子方面以及高频通讯方面的应用。由于GaN功率器件一般为常开型器件,只有在负压条件下才能关断,短路直通就成了一大隐患,因此常闭型级联GaN功率器件应运而生。作为大功率器件,一般器件的发热量很大,而常闭型GaN功率器件发热量更大,如果封装体不能够及时散热,器件结温就会巨升,肖特基遭到恶化。第一,本文针对AlGaN/GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)功率器件的应用,所需的功率及发热密度较大,来研究AlGaN/GaN HEMT封装热分析的重要性,并提出一个能在TO-220F封装形式下能够实现常闭cascode级联型GaN功率器件。第二,金属陶瓷封装是目前市面上很常见的宽带GaN HEMT射频功率器件的封装形式,但是由于这种封装形式与塑料封装相比较它的加工温度高、性价比低,工艺的自动化与薄型化封装能力不及塑料封装,因此本文采用DFN(双边扁平无铅封装)封装形式对芯片进行封装。综上所述,本文比较了单一GaN HEMT器件和级联型GaN HEMT器件封装的优缺点,通过ANSYS软件仿真对实际情况进行了验证,并进行了测试和分析且制作出了DFN(4*4)封装形式的GaN HEMT射频器件成品,并进行了电性测试,其主要内容如下:1)通过ANSYS有限元仿真软件对裸芯进行建模,得出该器件的热源分布情况,再对单一GaN HEMT器件和级联型GaN HEMT器件进行了建模,模拟了器件的热源分布,得出整个器件热源主要位置处于栅极和栅极偏漏极端的下方,为仿真模拟提供了理论依据。并分析了级联型GaN功率器件制作存在的问题,提出了cascode结构,解决了GaN功率器件在负压条件才能关断的隐患,为制造常闭型GaN功率器件提供了很好的借鉴作用。2)分析了陶瓷封装和塑料封装对GaN HEMT射频器件封装影响,提出了一种可行的封装方式,制作出DFN(4*4)封装形式的GaN HEMT射频器件成品,通过测试结果表明6mm栅宽射频器件崩溃电压最高可达309V,当开关一定次数之后器件将会达到一个稳定的状态,漏极电流不会有明显的变化。