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石墨烯是只有单层原子厚度的二维材料,具有硬度高、导电性好、化学结构稳定等特性,自从2004年发现以来引起了广泛的研究兴趣,被期待发展出响应速度更快、线径更小的新一代电子元器件或晶体管而替代现有的硅基器件。然而由于石墨烯没有带隙,难以直接用于制作光电元器件。为了克服这一缺陷,通常的做法是在单层石墨烯上制造缺陷或掺杂其他原子。我们课题组提出了通过裁剪石墨烯制备单壁碳纳米锥的方法。理论研究表明这种碳锥在室温下的寿命可达1010年,并具有良好的单向电流导通性,可用作纳米二极管。然而,用这样的方法大规模制备碳