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六角纤锌矿结构的氧化锌是一种重要的宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温下带隙为3.37eV。氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60meV),保证了其在室温下较强的激子发光,是制作紫外光电子器件的合适材料,自1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射以来,ZnO研究已成为继GaN之后紫外发射材料研究的又一研究热点。 Mg_xZn_(1-x)O是与ZnO结构类似的宽带隙材料,研究表明当x的取值小于等于0.36时,合金薄膜会保持ZnO六角形纤锌矿结构。本文介绍了x的取值小于0.1