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Fe在In_2O_3晶格中的固溶度很大,可以有效避免二次杂质相的产生,因此Fe掺杂In_2O_3稀磁半导体备受人们关注。在Fe掺杂In_2O_3中,Fe是以+2和+3混合价态存在,Fe~(2+)是一个p型掺杂剂。当额外掺入Sn时,Sn~(4+)是一个n型掺杂剂,这时Fe~(2+)-Sn~(4+)形成有效p-n对。这种非补偿性p-n共掺的方法有利于得到均相的稀磁半导体,同时通过调节p-n对的浓度可以调控体系的磁性及光学性质。本论文,我们利用激光分子束外延技术制备了Fe-Sn共掺杂In_2O_3薄膜和纳