三维阻挫体系In3Cu2VO9的量子无序磁性与超导电性

来源 :安徽大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jackchenz
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
三维的六角晶格层状化合物In3Cu2VO9作为强关联的阻挫体系,展现出一系列不同于反铁磁的新型低温量子无序磁性质。它和铜氧化物高温超导体的电子态和电子结构十分类似,掺杂后很可能呈现出超导特性。本文章先利用Schwinger-Boson平均场方法研究三维层间阻挫的六角格子在J1-J2-Jc Heisenberg模型下的基态和有限温度磁性质,重点讨论In3Cu2VO9的低能物理过程。随后我们利用平均场和强关联Slave-Boson方法来分别描述三维In3Cu2VO9在修正的t-J1-J2-Jc模型下的基态和有限温度超导性质,并分析其超导对称性。通过分析研究结果,我们发现末掺杂体系的磁基态可能是一种特殊的自旋无序相,而在此基础上掺杂得到的超导基态具有dx2-y2+ idxy的配对对称性。进一步探究其量子磁性与超导的竞争与共存关系,可以令我们更好地理解高温超导的机理。  第一章前言简要介绍了物质磁性的起源及研究发展历程,固体材料主要的几种磁结构以及相关的海森堡交换作用模型。随后简单介绍了常规超导电性的实验和理论发展,以及高温超导体的发现及其独特的性质,存在的难题和解决方法。然后介绍了备受瞩目的自旋液体相。最后,简要描述层状材料In3Cu2VO9的反常磁性和超导电性的实验和理论研究现状,提出研究问题,研究方法和研究意义。  第二章主要研究三维强关联体系In3Cu2VO9的反常量子磁性。我们在层间阻挫的J1-J2-Jc海森堡模型下利用Schwinger-Boson平均场方法来描述这个六角晶格体系的哈密顿量,进而得到自洽的方程组。解此方程就能得到体系磁基态的能量色散关系,层间序参量Q3随J2和Jc的变化相图,以及各子晶格间的自旋关联函数,还有体系有限温度下的序参量、比热容和静态磁化率。我们发现把层间耦合Jc从0增大到3.6 meV,层间阻挫体系可能由AFM相转变为一种层间无序、层内反铁磁的磁无序相。这种无序相不仅可以解释In3Cu2VO9的平面内相变温度TN=38 K,还可以描述其比热和磁化率在中间温度的定性行为。  第三章的重点放在了三维In3Cu2VO9体系的超导电性研究。我们在推广的t-J1-J2-Jc模型下分别利用传统平均场和强关联Slave-Boson方法描述体系的哈密顿量,再求解自洽方程获得体系的基态和有限温度超导物理性质。通过平均场得到的掺杂超导相图我们发现体系在最佳空穴掺杂x=0.03处出现最高超导转变温度Tc=4K,在x=0.06处超导相消失。而通过Slave-Boson方法,我们可知掺杂In3Cu2VO9的超导基态在以从1.2增加到5.2 meV的范围内都近似满足dx2-y2+ idxy的配对对称性。我们的理论结果都说明实际掺杂的In3Cu2VO9很可能是一个超导六角晶格体系。  论文的最后,我们总结了我们的研究结果,并指出了可能的进一步研究方向。
其他文献
氢气作为一种高效洁净的新型能源,可无限循环利用,可以说是取之不尽用之不竭的燃料,在能源严重短缺的今天,越来越受到人们的关注。但由于它易泄漏,易燃易爆,在生产、运输、使用的过
本文采用一级扭曲波玻恩理论、BBK理论和DS3C理论研究电子碰撞氦原子电离到氦离子(n=1)的(e,2e)反应过程。在中低等入射能量下探讨了扭曲波效应、电子关联效应和动力学屏蔽效
TiO_2薄膜具有良好的化学稳定性、优异的光学性能和良好的电学性能,并且还具有光催化效能高、无二次污染等特点,因而在电子材料、光学材料以及太阳能电池方面有着广阔的应用前景。TiO_2是宽禁带半导体材料,基于TiO_2磁性半导体的研究将有利于发展集成光、电、磁于一体的器件的开发和研制,近年来逐渐成为人们关注的焦点。本文通过调节磁控溅射参数、金属掺杂制备了系列TiO_2薄膜,并对样品的形貌、结构以及磁