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近几十年来,关于并五苯有机薄膜场效应晶体管的研究已经非常广泛。由于其有较高的迁移率、可以大面积制备、能与柔性衬底兼容等优点,常被应用在价格低廉、大规模的柔性电子产品当中。然而为了促进其在柔性方面的发展,常用具有柔性、弹性的有机聚合物绝缘层代替无机绝缘层。其中聚二甲基硅氧烷(PDMS)是最常见的硅基聚合物材料,由于其有生物兼容性、绝缘特性、光学透明、弹性等优点,常作为衬底、封装层和弹性印章等。然而,由于无法在PDMS表面真空蒸镀获得有机薄膜,因此其很少被应用在薄膜场效应晶体管中。目前也没有文献报道如何在PDMS表面获得有机薄膜,更无法基于PDMS绝缘层直接构筑柔性薄膜晶体管。针对以上的问题,我们对PDMS表面进行修饰,获得致密的并五苯薄膜。其次基于此方法构筑三种器件结构的柔性并五苯薄膜晶体管,并探究弯曲对器件性能的影响。主要工作如下:1、研究了并五苯薄膜的制备过程中沉积温度、原料纯度对器件性能的影响以及其在空气中的不稳定性。发现用提纯后的并五苯材料,保持50℃沉积温度可以获得更好的并五苯薄膜。同时发现当并五苯薄膜场效应晶体管暴露在空气中,器件性能有明显下降。2、本次实验选择柔弹性优异的PDMS作为器件的绝缘层,并且针对不能在PDMS表面真空蒸镀有机薄膜的问题,设计了一种全干修饰的方法。通过优化全干修饰中氧等离子体处理和气相OTS修饰两个必不可少的过程,得到当氧等离子处理时间为100 s,OTS修饰时间为7 h时器件迁移率为0.65 cm2V–1s–1。3、构筑了基于PDMS绝缘层的柔性并五苯有机薄膜晶体管,其中包括三种器件结构。对器件进行多次弯曲后,仍可获得场效应性能。其中构筑的可贴合器件结构可以随三维曲面衬底形状的改变而变化。这样的器件结构对大规模、可穿戴电子器件的发展提供了可能。