【摘 要】
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在微电子封装领域,氮化铝(AlN)基材料金属化的研究是促使其进入实用阶段的关键.该文在铜(Cu)厚膜导体、低温共烧,以及直接覆铜等金属化方面开展了系统的研究,取得了较好的结
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在微电子封装领域,氮化铝(AlN)基材料金属化的研究是促使其进入实用阶段的关键.该文在铜(Cu)厚膜导体、低温共烧,以及直接覆铜等金属化方面开展了系统的研究,取得了较好的结果:开发出适合AlN基板的无铅Cu厚膜导体浆料.该浆料采用一种对AlN具有良好化学相容性和润湿性,并含有活性组分(CaO)的硼硅酸钡钙玻璃作为助粘结组分,通过预氧化处理AlN基板的方法,可以有效提高导体层的附着强度(数值可达1.85Kg/mm<'2>).针对Cu粉体易氧化的缺点,采用化学镀的方法在超细Cu粉体的表面形成包裹银(Ag)层,明显提高了Cu粉体的抗氧化能力.由其制备的Cu厚膜导体层的电性能较好(2mΩ/□),烧结温度亦有所下降.在低温共烧的研究中,首次采用CuO为布线材料,通过空气下排胶-氢气气氛下还原-氮气中烧结的共烧工艺,成功制备了性能良好的铜基AlN/玻璃多层陶瓷基板.
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