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本论文以铌基硫属化合物超导体作为主要研究对象,重点研究了NbSe2单晶生长、Zr掺杂的NbSe2、Cu(或Li)掺杂的NbS2化合物的制备方法、晶体结构和电磁学性质,主要研究结果如下:1)化学气相输运(CVT)生长单晶通常采用双温区管式炉,我们利用普通单温区管式炉中的温度分布梯度实现化学气相输运,并成功生长出了NbSe2单晶。我们制备的NbSe2单晶的晶体尺寸约为2×2mm2,其超导转变温度约为7.1K,超导转变宽度为0.3K,超导体积分数约为79%。单温区管式炉生长晶体的方法同样可以用于其它功能材