【摘 要】
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本文以SnCl2·2H2O、NH4F和TEOS为原料,采用溶胶-凝胶法制备FTO/SiO2复合透明导电薄膜。通过对制备薄膜各参数工艺包括FTO及SiO2溶胶的配置、基体处理、涂层方式、热处理等的实验分析,利用XRD、UV-Vis以及方块电阻测试仪等手段,以附着力测试、光电性能测试等为内容,综合探讨了F掺杂浓度、热处理温度以及薄膜厚度等对薄膜晶体结构、表面形貌及光电性能的影响。实验得出,SiO2溶胶
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本文以SnCl2·2H2O、NH4F和TEOS为原料,采用溶胶-凝胶法制备FTO/SiO2复合透明导电薄膜。通过对制备薄膜各参数工艺包括FTO及SiO2溶胶的配置、基体处理、涂层方式、热处理等的实验分析,利用XRD、UV-Vis以及方块电阻测试仪等手段,以附着力测试、光电性能测试等为内容,综合探讨了F掺杂浓度、热处理温度以及薄膜厚度等对薄膜晶体结构、表面形貌及光电性能的影响。实验得出,SiO2溶胶的配置方案为：EtOH/TEOS/H2O=4:2:1 (volume ratio),PH=2
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