【摘 要】
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解决SOI(Silicon on Insulator)器件的“自加热效应”，制备出具有高热导率的绝缘薄膜是科研工作者研究的一个重要方向。本文在综述了AlN薄膜的制备、应用和国内外研究现状的基础上，采用射频反应磁控溅射法在N型硅(100)衬底上制备了高热导率的AlN绝缘薄膜，研究了溅射参数对薄膜沉积速率的影响；研究了薄膜的抗电性能并对薄膜抗电性能的变化规律进行了理论分析，探讨了AlN薄膜介电常数低于
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解决SOI(Silicon on Insulator)器件的“自加热效应”，制备出具有高热导率的绝缘薄膜是科研工作者研究的一个重要方向。本文在综述了AlN薄膜的制备、应用和国内外研究现状的基础上，采用射频反应磁控溅射法在N型硅(100)衬底上制备了高热导率的AlN绝缘薄膜，研究了溅射参数对薄膜沉积速率的影响；研究了薄膜的抗电性能并对薄膜抗电性能的变化规律进行了理论分析，探讨了AlN薄膜介电常数低于体材的成因及其变化规律；采用慢正电子湮灭谱技术(PAT)研究了AlN薄膜与Si衬底的界
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