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单层石墨是理想二维晶体，不仅可以十分稳定的存在于通常环境下，而且还表现出很多优异的性质。单层石墨的电子性质会随其大小，形状和边缘方向改变而改变。对各种不同的几何构型单层纳米石墨带的理论计算，有利于使其与半导体工业结合。本文一共分三章。 第一章介绍纳米石墨带的一些基本性质，包括纳米石墨带的制备和其几何结构，及单层石墨的电子性质。 第二章介绍本文所用的基本理论方法，即以紧束缚模型为基础的非平衡格林函数方法。 第三章主要讨论两端不同宽度的纳米石墨带其电子性质的变化，主要是态密度和电导的变化。