论文部分内容阅读
本文采用P型单晶硅片，由热氧化形成SiO2掩膜层，标准光刻工艺进行图形转移，用KOH溶液湿法刻蚀制作倒四棱锥腐蚀坑列阵。在三极电解槽中，进行了电化学深刻蚀的探索性实验。对氧化、光刻、湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究，同时，采用SEM对实验样品进行了形貌分析，并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析。 通过理论和实验研究，发现即使硅片晶向不准，仍能刻蚀出方孔列阵。在光刻工艺过程中，适当延长前烘时间可得到良好的显影图案。在湿法刻蚀诱导坑时，需适当延长刻蚀时间。在电化学刻蚀过程中，需增加循环装置。其结果对进一步开展这方面的研究工作具有指导意义，在进一步深入开展研究电化学体硅微加工技术时，可有望成为实现硅深孔列阵加工的新技术。