铜铟镓硒(简称CIGS)薄膜太阳电池凭借其光电转换效率高、无衰退、性能稳定、成本低廉等特点备受人们瞩目,是一种最具有发展前景的薄膜太阳电池。2010年,德国氢能和太阳能研究机构(ZSW)已成功的将CIGS薄膜太阳电池的实验室记录转换效率刷新到20.3%。在很长的一段时间内,国内的研究者们也掀起了一股研究热潮。背电极作为CIGS薄膜太阳电池的重要组成部分之一,其材料的选择关系着电池的性能。Mo薄膜由于具备低的电阻率、良好的热稳定性以及与CIGS层可形成很好的欧姆接触,同时具有与玻璃和CIGS相近的热膨胀系数等特点,成为CIGS薄膜太阳电池背电极的首选材料。本实验采用磁控溅射技术来制备Mo薄膜,溅射电源分为双极脉冲电源和中频电源两种。双极脉冲磁控溅射是在普通载玻片上沉积Mo薄膜,靶材为圆形Mo靶,通过改变溅射时间、衬底温度和溅射功率来研究Mo薄膜的结构形貌及光电性能。中频磁控溅射使用孪生靶在200×200mm的平板玻璃上沉积Mo薄膜,靶材为矩形Mo靶,分析了溅射功率和工作气压对Mo薄膜的结构形貌及光电性能的影响。实验结果显示,双极脉冲磁控溅射制备的Mo薄膜,在溅射时间60min、衬底温度的100℃、溅射功率为60W时,具有(211)晶面择优生长,晶粒呈明显的柱状生长,晶界清晰,反射率大约在55%左右,电阻率可达到10-5Ω·cm。中频磁控溅射制备的Mo薄膜,都具有(110)晶面择优生长,晶粒的柱状生长明显,随着溅射功率的升高Mo薄膜的结晶程度变好,晶体颗粒变大,反射率相差不大,电阻率可达到104Ω·cm；随着工作气压的升高Mo薄膜的结晶程度变差,晶体颗粒变小,反射率相差不大,电阻率可达到10-5Ω·cm。可见,实验制备的Mo薄膜均可满足CIGS薄膜太阳电池对背电极电性能的要求。