【摘 要】
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本论文主要以分散红1(DR1)掺杂的聚合物电光薄膜作为电场传感器,研究用于集成电路检测用的新型电光探测技术。制备的极化DR1/SiO2薄膜在1 kHz的测量频率下,其电光系数达到37 pm
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本论文主要以分散红1(DR1)掺杂的聚合物电光薄膜作为电场传感器,研究用于集成电路检测用的新型电光探测技术。制备的极化DR1/SiO2薄膜在1 kHz的测量频率下,其电光系数达到37 pm/V,并首次推导出了逆压电效应与电光效应相结合的理论公式,对简单反射法测量薄膜电光系数的公式予以了全面的推导和修正。实验结果证明了在极化DR1/SiO2这类主客掺杂型电光薄膜中,逆压电效应对电光系数的影响不足0.2%。首次提出了生色团分子在交流电场作用下的瞬时极化效应,并通过多种实验进行了证明。根据这个理论启发,详细的研究了DR1/DMF液态薄膜的电光特征。实验中发现DR1分子在DMF溶液中具有远高于SiO2固体薄膜中的极化效率,以及远低于在后者中的响应时间,这种优点使得DR1/DMF薄膜在1 kHz测量频率下有高达95 pm/V的电光系数,在低频100 Hz电光系数更是达到250 pm/V,远远高于一般极化有机聚合物的电光系数。由于DR1/DMF高的电光系数、以及制备过程的简单、对被测电路无任何污染的优点使得其能成为一种新型很有前途的电场传感器。
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