【摘 要】
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SnO气敏传感器是半导全气敏传感中最具代表性的一种,尤其是薄膜型SnO气敏器件因其灵敏度高、响应速度快、功耗低并且易于小型化等优点而倍受人们的关注与广泛的研究.然而由于
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SnO<,2>气敏传感器是半导全气敏传感中最具代表性的一种,尤其是薄膜型SnO<,2>气敏器件因其灵敏度高、响应速度快、功耗低并且易于小型化等优点而倍受人们的关注与广泛的研究.然而由于稳定性的问题限制了它的应用与发展.稳定性的研究不仅被视为决定SnO<,2>传感器实用化的关键,对其它类型氧化物半导体的传感器的研究与开发也具有普遍意义.因其技术与理论上的难度,目前尚未有人对SnO<,2>结构的稳定性作出系统的研究.该文主要利用XRD、SEM、TEM、BET、AES、XPS以及XAES等多种分析技术对SnO<,2>薄膜的热稳定性、老化后结构的变异以及在Ar<+>作用和不同气氛作用下的物理结构及电子结构进行了综合 研究,取得了一些有价值的结果.
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