【摘 要】
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该论文提出了一种以PC机为基础的交流为研究超导筒在交背景场下磁滞交流损耗随背景场场强变化的规律,并以Bean模型为基础在柱坐标下推导了交流损耗公式用以解释测试结果.测试
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该论文提出了一种以PC机为基础的交流为研究超导筒在交背景场下磁滞交流损耗随背景场场强变化的规律,并以Bean模型为基础在柱坐标下推导了交流损耗公式用以解释测试结果.测试结果显示:1、义流损耗与H<α>=2.3,当背景磁场穿透超民材料后α=1.2、超导材料未被背景场穿透时超导材料的交流损耗低于10<-4>W/cm<2>水平.
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