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采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在不同的基片、不同的电极上制备了Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,构造了不同的电容器结构,并进行了多种性能的检测和分析。采用一次退火研究了退火温度对PZT电容器性能的影响。结果表明:550℃为最佳退火温度,所制备的铁电电容器具有较大的极化强度。为降低退火温度,采用逐层退火制备了PZT薄膜,500℃所制得样品比相同温度下一次退火具有更好的铁电性。另外,在引入非晶Ti-Al阻挡层后,探索了PZT电容器的铁电性随膜厚的变化规律。在LaNiO_3