具有ABO₃型钙钛矿结构的BaTiO₃材料是重要的电子材料之一，具有较高的介电常数、良好的铁电、压电性能，主要用于制造高容多层电容器、多层基片、各种传感器、半导体材料和敏感元件。本文采用非均匀沉淀法将氧化物（MgO、CuO、MnO、La₂O₃、Y₂O₃）均匀的包覆在BaTiO₃基陶瓷粉体表面，制备具有包覆层的复合粒子，研究了不同包覆量对BaTiO₃基陶瓷的微观结构、微观形貌、介电性能、绝缘性能和击穿电压的影响，其实验结果及讨论如下：（1）包覆剂MgO能有效抑制晶粒长大，从而获得晶粒均匀的陶瓷，此细晶效应是由于晶界区MgO的抑制作用；MgO有助于形成“壳一芯”结构晶粒，显著改善介电温度特性，使得BaTiO₃基陶瓷的ε峰降低并展宽，电阻率提高到6.97×10¹³（Ω·mm）和击穿电压提高到4.77kV/mm。（2）包覆剂CuO能提高陶瓷致密度，抑制晶粒生长，CuO有助于形成“壳一芯”结构晶粒，显著改善复合陶瓷的介电温度特性，介电常数降低，居里峰展宽，电阻率提高到2.09×10¹³（Ω·mm）和击穿电压提高到3.86kV/mm。（3）包覆剂La₂O₃能有效抑制晶粒生长，提高陶瓷致密度。La₂O₃均匀的包覆在BaTiO₃基陶瓷粉体上，改善其介电温度特性，介电常数减低，居里峰展宽,居里温度向高温方向移动，电阻率和击穿电压分别降至1.92×10¹³（Ω·mm）和2.94kV/mm。（4）包覆剂MnO包覆BaTiO₃基陶瓷粉体后，Mn2+全部固溶到BaTiO₃晶格中生成了新相Ba₄Mn₃O₁₀。包覆MnO后，复合陶瓷发生了介电弥散现象，当包覆量为3mol%和5mol%时，介电弥散现象最明显。（5）包覆剂Y₂O₃能有效抑制晶粒生长，Y₂O₃均匀包覆在BaTiO₃基陶瓷粉体上，介电常数降低，居里峰展宽,居里温度向低温方向移动，电阻率和击穿电压分别降至1.16×10¹³（Ω·mm）和2.53（kV/mm）。