ZnO是一种直接带隙的半导体材料,室温下能隙宽度3.37 eV,激子束缚能高达60meV,远大于ZnSe(20meV)和GaN(21meV)的激子结合能。如此高的激子束缚能使得激子不易被热激发,从而大大提高了ZnO材料的适用范围。由于其在紫外发光和激光方面具有潜在的应用前景,而成为国际前沿中的研究热点之一。半导体纳米材料由于具有显著的量子效应、表面效应、特殊的电子传导效应等不同与体材料的独特的物理化学性质,纳米ZnO材料的研究引起了人们的广泛的关注。本文主要围绕着ZnO纳米晶的尺寸,结构及纳米球掺杂等条件对其发光性能的影响开展了研究工作,具体的内容如下:(1)利用高质量纳米ZnO颗粒以及Fe掺杂的氧化锌纳米球并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对其结构进行分析。(2)通过吸收光谱、光致发光谱(PL)测试等手段对所得到的样品进行表征测试。研究纳米氧化锌所表现出的光学性质。(3)研究Fe掺杂浓度为10%的ZnO纳米材料发光特性,分析掺杂Fe对纳米氧化锌材料的光学性质的影响。(4)分析热效应给本论文中纳米ZnO及掺杂样品测试带来的影响。进而分析热效应对光纤放大器、半导体等器件带来的影响。