复杂结构的多层有机发光二极管（OLED）极大地增加了器件制备的复杂程度以及工艺成本,因此研制高性能的简化结构OLED对于其商业化生产具有重要的意义。本文主要研究单层结构OLED电极界面材料的选择、器件结构的优化以及电荷平衡机理,制备高性能的单层结构OLED。具体工作如下:1、研究了基于ITO/C₆₀0 or C₆₀:MoO₃/TPBi:Ir（ppy）₃/LiF/Al单层器件结构的发光机理。通过调节在C₆₀中掺入MoO₃的比例,改变修饰层的性质,使修饰层由n型转变为p型,提高其空穴注入能力,同单独的MoO₃相比有低的空穴注入能力及低的空穴迁移率,从而调节空穴注入性质使电荷更加平衡。C₆₀（1.2 nm）:MoO₃（0.4 nm）作为空穴注入层的单层器件实现了35.88 cd/A的最大电流效率,相比于C₆₀（10.46 cd/A）或MoO₃（28.99 cd/A）单独作为空穴注入层的器件,器件效率分别提高了243%以及24%。2、将HOMO能级分别为5.96 eV、6.04 eV的吲哚并喹喔啉（6H-indolo（2,3-b）quinoxaline）衍生物IQ1、IQ2作为空穴注入层应用于结构为ITO/HILs/TPBi:Ir（ppy）₃/LiF/Al单层OLED中,研究其对器件性能的影响。深的HOMO能级可以与主体的HOMO实现很好的能级匹配获得高的器件效率。IQ1、IQ2作为空穴注入层的器件最大电流效率、功率效率分别为59.11 cd/A、54.26 cd/A和46.40 lm/W、44.84 lm/W。3、基于ITO/MoO₃/Hosts:Ir（ppy）₂（acac）/EILs/Al单层器件结构,研究了电子注入层Bphen:Cs₂CO₃与Cs₂CO₃与n型,p型材料作为发光层主体在单层OLED中的关系。CBP作为主体,相对于Bphen:Cs₂CO₃,Cs₂CO₃作为电子注入层可以获得较低的启亮电压以及较高的功率效率;不论Bphen:Cs₂CO₃还是Cs₂CO₃作为电子注入层,TPBi作为主体均获得了更佳的器件性能,实现了启亮电压2.5 V,最大电流效率、功率效率分别为45.99 cd/A、34.57 lm/W的单层OLED。