硒化锑（Sb₂Se₃）是一种Ⅴ-Ⅵ族二元化合物,储量丰富、毒性低、价格便宜;Sb₂Se₃光电性能优异,其禁带宽度为1.15 eV,光吸收系数>10⁵ cm^-1,理论光电转换效率可达30%;此外,Sb₂Se₃化学组分和物相单一,制备技术相对简单,非常适合制备新型低成本低毒的薄膜太阳电池。近年来,Sb₂Se₃薄膜太阳电池发展迅速,目前其最高转换效率已达到6.6%。本论文的主要工作包括两个部分:（一）采用近空间升华（CSS）法生长高质量Sb₂Se₃薄膜,研究厚度对Sb₂Se₃薄膜结构、形貌和光电性能的影响;采用化学水浴（CBD）法制备CdS薄膜,研究后续CdCl₂热处理对CdS形貌和电学性能的影响;在此基础上,调控并优化制备工艺,制备FTO/n-CdS/p-Sb₂Se₃/Au结构薄膜太阳电池。（二）针对Sb₂Se₃薄膜太阳电池中存在的非欧姆漏电现象,结合电池光电输出特性和理论模型分析,提出器件中存在的空间电荷限制电流（SCLC）及其形成机制。通过引入前电极高阻缓冲层,制备FTO/SnO₂/n-CdS/p-Sb₂Se₃/Au结构太阳电池,有效提高了电池的并联电阻减小了电池漏电,最终制备得到了转换效率为5.18%的Sb₂Se₃薄膜太阳电池。本论文创新采用易于大规模生产的近空间升华技术制备高质量Sb₂Se₃薄膜,扩展了Sb₂Se₃薄膜太阳电池的制备手段。此外,包含高阻缓冲层的结构设计为进一步提高电池光电转换性能提供了重要的技术路径。