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PIN开关二极管是微波控制电路中应用最普遍的一种控制器件，具有损耗小、可承受功率大、速度快等优点。作为开关器件，PIN二级管具有良好的短路和开路特性，在开关阵列、移相器、收发前端等各种微波与毫米波控制电路中被广泛应用。射频电子系统随着工作频率的增加，对电路和模块的插损、隔离度、功耗等性能参数的要求愈加苛刻，对开关器件也提出了越来越高的要求。相比传统硅基和砷化镓(GaAs)基器件，InP基PIN开关二极管具有截止频率高、插损小、开启电压低、开关速度快等优点，成为了近年来的研究热点。本文采用器件模拟软件对InP基PIN开关二极管器件建模，优化了器件结构设计，利用化合物半导体材料外延和器件工艺平台制备出设计的开关器件，并在此基础上对构建基于BCB介质材料的InP基PIN开关电路关键制备工艺进行了研究，为后期实现开关电路奠定了基础。本文的主要工作为: 首先，分析了PIN开关二极管结构参数对开关器件性能参数的影响，利用Silvaco TCAD软件对InP基PIN开关二极管器件结构进行建模仿真，分析不同I区厚度对PIN二极管的电流电压特性的影响，通过优化设计得出最优结构，选取1μm宽度的I区结构，仿真得到击穿电压为13.5V，导通电压为0.62V。 其次，利用化合物半导体材料外延与器件工艺平台，通过化合物半导体台面工艺，制备出InP基PIN开关二极管器件，直流Ⅳ特性测试结果表明，PIN开关二极管的开启电压为0.525V，反向击穿电压大于12V小于15V。 最后，针对基于BCB介质材料的PIN开关电路制备中的关键的BCB厚膜工艺，选取4022-35和4026-46两种BCB，设计四种方案，分别对两种BCB进行光刻显影和直接固化刻蚀实验，通过工艺对比分析，确定了最优的工艺方案，为制备InP基PIN开关奠定了基础。