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稳定性是制约非晶硅太阳电池进一步发展的主要因素,界面层对非晶硅太阳电池效率和稳定性具有非常重要的影响,本论文采用七室连续PECVD沉积系统,在玻璃衬底上制备出非晶硅材料与电池,研究了TCO/p界面和p/i界面制备工艺对非晶硅太阳电池性能的影响及电池i层制备工艺对电池稳定性的影响。 本论文的前期工作,研究了在SiH_4、CH_4流量固定时B(CH_3)_3流量对p型a-SiC:H材料的带隙和电导率的影响。实验发现随着B(CH_3)_3流量的增大,材料带隙变化不明显,电导率先增