【摘 要】
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一维纳米材料的制备与表征是目前晶体生长领域的重要研究方向。本论文的研究涉及两种一维纳米材料:硅纳米线和ZnO纳米棒。硅纳米线(SiNWs)是一种新型半导体光电材料,具有量子限制效应和小尺寸效应且能与目前的硅芯片技术相兼容,有望在纳米器件中得到广泛地应用。因此纳米硅线的制备和性能研究更是引起了人们的兴趣。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物宽带隙的半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV。激子束缚能为60m
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一维纳米材料的制备与表征是目前晶体生长领域的重要研究方向。本论文的研究涉及两种一维纳米材料:硅纳米线和ZnO纳米棒。硅纳米线(SiNWs)是一种新型半导体光电材料,具有量子限制效应和小尺寸效应且能与目前的硅芯片技术相兼容,有望在纳米器件中得到广泛地应用。因此纳米硅线的制备和性能研究更是引起了人们的兴趣。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物宽带隙的半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV。激子束缚能为60meV。ZnO在光电、压电、铁电、铁磁等诸多领域都具有优异的性能,ZnO维纳米结构还在激光、场发
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目的：研究我院鲍曼不动杆菌对临床常用12抗菌药物的耐药情况以及耐药性与常见β-内酰胺酶类型和编码基因之间的关系。方法：对2005年1月-5月、2006年2月-6月我院临床分离的共120株鲍曼不动杆菌通过琼脂对倍稀释法进行MIC测定；使用Cefinase纸片法进行β-内酰胺酶检测；采用改良三维试验大平皿法对β-内酰胺酶阳性菌株进行β-内酰胺酶分型检测；根据耐药表型和产β-内酰胺酶类型的不同，分别对耐
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