随着信息技术的日益发展,储能材料广泛应用于人工智能、航空航天、集成电路等领域,单一的陶瓷或聚合物储能材料已无法满足小型化、集成化、轻量化的高储能应用需求。本文通过水热法制备出钛酸钡纳米线（Ba Ti O3纳米线,简称BTNWs）,并以其为填料,以聚偏氟乙烯（PVDF）为基体制备BTNWs/PVDF复合材料,研究Ba Ti O3形貌、含量和表面改性对复合材料晶型结构、微观形貌、介电性能和储能性能的影响,以期获得具有高储能性能的复合材料。采用水热法制备BTNWs,研究第一步水热反应中反应物Na OH溶液浓度和反应时间对BTNWs的前驱体钛酸钠（Na2Ti3O7）纳米线的晶型结构和微观形貌的影响,得出当反应温度240℃、Na OH溶液浓度14 mol/L、反应时间12 h的条件下可得到平滑细长的Na2Ti3O7纳米线。在此基础上,研究了第二步水热反应中反应时间和反应温度对BTNWs晶型结构和微观形貌的影响。结果表明,在钡钛摩尔比2:1,反应时间12 h,反应温度150℃的反应条件下可得到长度范围1.8μm～4.8μm,直径范围125 nm～375nm,长径比范围4.8～38.4的BTNWs。分别以BTNWs和钛酸钡微米颗粒（Ba Ti O3微米颗粒,简称BTMPs）为填料,与聚偏氟乙烯（PVDF）基体复合制备BTMPs/PVDF复合材料和BTNWs/PVDF复合材料。随着BTNWs含量的增加,BTNWs/PVDF复合材料的介电常数也有所增加,击穿强度相比于纯PVDF则略有下降。在同一填料含量下,以BTNWs为填料有助于复合材料介电性能、击穿强度和储能性能的提高,当填料含量为30 vol%时,BTNWs/PVDF复合材料的储能密度可达3.47 J/cm~3,比纯PVDF和30 vol%BTMPs/PVDF复合材料分别提高近48.3%和116.9%。为提高BTNWs@PDA/PVDF复合材料的击穿强度和储能性能,通过聚多巴胺（PDA）对BTNWs表面进行包覆得到BTNWs@PDA,在一维结构的BTNWs的基础上,对其包覆改性可协同提高复合材料的介电性能、击穿强度和储能性能。当填料含量为30 vol%时,[email protected]/PVDF复合材料的储能密度达5.48 J/cm~3,此时复合材料击穿强度为192.1 k V/mm,相比30 vol%BTNWs/PVDF复合材料的储能密度和击穿强度分别提高了57.9%和3.7%。