本文主要研究了金属诱导横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管在热载流子(hot carrier, HC)应力下的漏电特性,以及其所对应的物理机制;并确定了应力前后漏电的电流模型。最后提出了HC应力下n型TFT的场助产生(field enhanced generation, FEG)漏电与热产生(thermal generation, TG)漏电量化统一模型。整个研究从FEG漏电和TG漏电两个角度展开。在测量时,采用正反向测量模式。在定性分析FEG漏电和TG漏电特性的同时,还针对Ioff和漏电最小值Ioff_min这两个重要参数进行定量分析。此外,对TG漏电分为非H化和H化器件两个对照组,进行研究,并分别考察了饱和区和增长区的特性。最终得出了热载流子应力后,FEG漏电与TG漏电在正反向测量模式下的漏电特性,并澄清了其内在的物理机制。还确认了应力前后在正反向测量模式下FEG漏电的电流模型,以及TG漏电增量的电流模型。并提出了HC应力下n型TFT的FEG漏电与TG漏电量化统一模型。从数学上澄清了ΔIoff和ΔIoff_min的制约因素。