强激光与物质相互作用发射的高次谐波因其极广的应用前景而被关注,然而对于固体谐波辐射的物理机制仍有很大争议。固体体系的谐波辐射是各个能带上电子的布洛赫振荡与空穴回碰。因此,通过调节各能带布洛赫振荡以及能带间的跃迁几率,可以达到控制电子在各能带的运动。这为操控高次谐波辐射指明了新方向,为控制量子路径干涉提供了新思路。本论文基于一维马修型(Mathieu Type Potential)周期模型势,通过求解单电子含时薛定谔方程研究固体体系的高次谐波的辐射机理。主要内容包括以下二个方面:(1)理论上研究了半导体载流子处于导带的几率对谐波发射效率的影响。对于半导体材料中电子有一定几率处在与价带带隙最小的导带上,即在价带上形成空穴。然而初态包含载流子情况的半导体的谐波辐射的研究还较少。本文利用导带最底端(CBM)和价带最高端(VBM)状态的叠加模拟了这一情况的高次谐波辐射,发现初始状态中导带中的载流子的几率会增强高次谐波强度。通过时间依赖的几率影像图来讨论这一物理机制。另外,还探究了在少周期情况下载波包络相位对谐波谱的影响。(2)理论上研究导带间跃迁引起的多通道现象对固体高次谐波辐射影响。在固体系统中,高次谐波产生的量子路径是复杂的,在本文中分辨出了高次谐波中的多通道现象。当高导带的电子几率被考虑时,导带间的跃迁对高次谐波产生的贡献不容忽视。不同通道的干涉使谐波谱结构在第二平台变得更加复杂。还提供了一种在基频场中添加弱脉冲以增强导带间的跃迁来提高高次谐波的产额的方案。其物理机制通过时频分析和准经典分析讨论。量子路径的强度由每个能带随时间变化的几率来解释。本文为实验操控电子动力学提供了理论基础。