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VO_2薄膜在68℃下发生半导体态到金属态的可逆相变,这种热致相变特性让VO_2薄膜可广泛应用于智能窗材料、开关器件等领域,但较高的相变温度(68℃),仍限制着其实际应用。为降低VO_2薄膜的相变温度,本文进行了元素掺杂和薄膜复合的研究。通过水热合成结合高温热处理的方法,制备了以玻璃为衬底的纯VO_2薄膜,分别考察了Nd、W掺杂浓度和Sn O_2复合对VO_2薄膜微观结构和相变性能的影响。高压反应釜中水热反应加退火两步法制备了表面分布均匀、晶项单一、纯度较高的VO_2薄膜,DSC检测结果表明,VO_