三维电阻抗成像技术正问题的研究

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本文对三维电阻抗成像技术正问题进行了研究。文章首先利用有限元法,建立基于三角形棱柱单元的3D-EIT有限元网格模型,并确定其有限元网格单元内插函数。然后利用全电极模式(CEM)对3D-EIT有限元网格模型进行数学建模,详细推导出有限元单元矩阵和模型总体矩阵,最终产生3D-EIT有限元系统方程组。以此系统方程组为基础,运用预条件共轭梯度算法(PCG)求解3D-EIT正问题,提出了对系统方程组中的总体矩阵进行带有特定阀值的不完全LU分解选取预条件矩阵,对具有预条件矩阵的PCG算法进行优化,从而达到了算法的快速收敛。实验结果表明,选择合适的阀值系数可有效控制正问题求解的收敛速度并减少运算存储。
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