研究目的采用线栓法制作大脑中动脉缺血再灌注损伤大鼠模型,通过电针百会、内关、三阴交、水沟穴干预治疗,观察电针干预后大鼠运动及记忆行为学改变、脑梗死体积变化及脑内相关区域SYN、VEGF、GFAP蛋白的表达。研究方法1造模及分组线栓法制作左侧大脑中动脉缺血再灌注损伤SD大鼠模型,根据Zea Longa E等提出的神经行为学评估法进行模型筛选。随机法分成假手术组、模型组、电针组、电针对照组四组,每组各60只,其中前两组不进行电针治疗,后两组电针干预,每组又进一步分为7d、14d、21d三小组各20只。2电针干预造模成功24h后即对电针组及电针对照组选取主穴水沟、百会和双侧内关、三阴交进行电针治疗。每天上午针刺1次,每次电针治疗30分钟,每7天为一疗程(针刺6天休息1天)。模型组及假手术组均常规饲养不治疗。3行为学评分及脑梗死体积分别对各组实验大鼠进行高架十字、Barnes迷宫、滚筒掉落时间检测等行为学评估。脑组织TTC染色后拍照,并用图像分析软件计算四组3个时间段脑梗死体积。4 Western blot检测SYN、VEGF、GFAP蛋白的表达分别取3个时间点各组实验大鼠的脑组织,应用Western blot方法进行SYN、VEGF、GFAP表达的检测。5统计学分析所有连续变量均以均值±标准差表示,多组间比较采用单因素方差分析,然后进行post-hoc事后检验,对于方差齐时采用LSD法两两比较,方差不齐时采用Dunnett’s法比较。统计结果均由统计软件包SPSS for Windows 20.0运算完成。p<0.05为有统计学意义。结果1.高架十字实验:模型组及电针组实验大鼠的活动度较假手术组及电针对照组明显减低,对比发现电针组在各时间点的活动度优于模型组(p<0.01)。2.Barnes记忆迷宫实验:模型组及电针组进入隐藏区的潜伏期较假手术组及电针对照组明显延长,对比发现电针组进入隐藏区的潜伏期较模型组在各时间点均明显缩短(p<0.01),电针组组内对比潜伏期缩短与电针时间(7-21d)呈逐渐下降(p<0.01)。3.滚筒掉落时间实验:假手术组及电针对照组的肢体运动功能未受损伤,电针组滚筒掉落时间较模型组在各时间点均明显延长(p<0.01)。4.TTC染色:假手术组及电针对照组未见脑组织缺血发生,而电针组的脑缺血区的梗死灶较模型组明显缩小(p<0.01)。5.Western blot法检测假手术组及电针对照组中SYN、VEGF、GFAP的表达较弱,而模型组及电针组的表达随治疗时间延长逐渐增强,且两组比较电针能增强缺血时SYN及VEGF的表达,抑制GFAP的表达,在术后7-21天各时间点相比电针有显著统计学意义(p<0.01)。结论1.高架十字、滚筒掉落时间及Barnes记忆迷宫等神经行为学评估均表明电针能改善大脑中动脉缺血再灌注损伤神经功能缺损症状。2.电针有助于缺血区脑梗死体积的恢复。3.电针可促进脑梗死区SYN、VEGF的高表达,并能调控GFAP的过度表达。4.电针通过多途径对神经血管单元进行神经保护,促进神经功能恢复。