射频系统级封装中互连结构的近场耦合分析

来源 :中国工程物理研究院 | 被引量 : 1次 | 上传用户:MENTAL2010
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随着射频SiP系统集成度的提高,互连结构的近场耦合问题突出,导致系统难以实现准确的性能验证及结构优化。本文主要从互连结构近场耦合的特性分析、系统优化方法、系统设计实现三个方面进行阐述:1.从理论建模分析了近场辐射、近场耦合的基本特性,并构建了等效的集总电路模型求解互容互感。还分别从理想环境以及封装环境进行了建模仿真分析。并设计了封装环境下4种互连结构的放大器电路进行了验证。2.基于板级场路协同仿真实现了系统近场的等效模拟,提出了一种递进型系统优化方法,有助于提高系统性能验证和结构优化准确度。并以S波段发射模块的优化、测试进行了验证,发现近场的模拟与测试相关度达95%以上,证明了此模拟方法的准确度。3.基于互连结构的近场耦合分析和递进型系统优化方法,实现了 3种高密度集成的双点源变频模块。与国内同类最新产品相比,第二种设计具有与之相比拟的隔离性能,且集成度更高,验证了互连结构特性分析和系统优化方法实用性。
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