本论文主要开展了微结构图形提高有机发光二极管(OLED)出光效率的研究。实验结果表明,通过在OLED的ITO层引入一维光栅、二维光栅以及无序纳米图形,OLED出光效率显著提高。利用FDTD模拟研究了不同周期和不同刻蚀深度的光栅图形,对OLED的透过率和电场强度的影响进行了研究。将采用全息光刻和湿法刻蚀方法在ITO衬底上制备的光栅用于橙光发光器件,研究了光栅对器件发光性能的影响。器件结果表明,一维光栅周期为350 nm,刻蚀深度为20 nm时,最大外量子效率提高了29.5%。当二维点阵周期为350 nm,刻蚀深度为40 nm时,外量子效率提高了49.5%。当二维孔阵周期为350 nm,刻蚀深度为40 nm时,外量子效率提高了61.5%,实验结果表明光栅图形可以显著地提高OLED器件出光效率。采用金薄膜退火和湿法刻蚀技术在ITO玻璃片上制备了无序纳米图形,并用于橙光OLED器件中,研究了无序纳米图形对器件发光性能的影响。器件结果表明,当金薄膜厚度为10 nm,退火温度为570°C,退火时间为240 s,刻蚀深度30 nm时,外量子效率提高35%,实验结果表明无序纳米图形可以显著地提高OLED器件出光效率。