磁控溅射制备氧化物薄膜时,氧原子很容易得到电子而形成负氧离子（O-）,这些负离子在靶材的表面形成并被放电电压加速。它们可以获得很高（几百电子伏特）的能量,并轰击正在沉积的薄膜,对薄膜造成严重的破坏,例如反溅射、组分变化和结构缺陷等。这些损伤对于材料的电学性能来说往往是最具有破坏性的,因为电子对于晶体结构的完整性非常敏感。透明导电氧化物（TCO）薄膜就是其中一类重要的材料。透明导电氧化物薄膜在太阳能电池、平板显示和触摸屏等技术中发挥着十分重要的作用。其中,ZnO:Al（AZO）因其优异的光电学性能、易刻蚀以及丰富的原材料等优点,被公认为是取代In₂O₃:Sn（ITO）的最佳候选者。但是,由于负氧离子的存在,导致了AZO薄膜在磁控溅射沉积,尤其是低温时工艺的不稳定、结果难以重复以及较难制备大面积均匀具有优异光电性能的薄膜。为了降低高能O-对薄膜的轰击,最直接有效的方法就是降低放电电压（|V_d|）,这在以前的研究中已经被证实。但这些研究中的|V_d|依然在100 V以上,也就是O-的能量>100 eV,仍然高于ZnO的缺陷生成能（50⁶0 eV）。我们通过改变等离子体的激发方式,利用更有效的能量传递形式—高频射频耦合直流放电,产生高密度的等离子体,从而有效的降低AZO靶上的放电电压到极低值（40 V）。在如此低的|V_d|区域,我们系统地研究了薄膜的制备工艺、薄膜的结构和薄膜的光电性能三者之间的关系。并将我们的结果和以前的研究成果进行了比较,对其中一些共同的问题,如载流子的产生和输运性质等进行了讨论。主要的研究成果和结论如下:（i）负离子的双面作用。首次发现并报道了在|V_d|降低到100 V以下的区域,O-在薄膜生长过程中有正面作用,即对薄膜有致密化的效果,这和以前人们一直认为的O-在AZO沉积中只会起到负面作用不同;在|V_d|>100 V区域,O-依然有致密化的作用,但同时产生了许多轰击损伤,包括:点缺陷（如间隙原子-空位对）,晶粒减小,晶粒取向发生改变等,这些缺陷会极大的降低载流子的浓度和迁移率;（ii）通过对比磁控溅射和脉冲激光制备的AZO薄膜,我们发现磁控溅射沉积的样品的载流子浓度普遍偏低。可能的原因在于两类工艺中沉积原子的能量差别,由于Al置换Zn为亚稳态结构,磁控溅射方法中的Al原子的激活比在PLD工艺中要困难;（iii）低电阻率的AZO薄膜拥有以下几个共同的结构特征:完全的（002）晶粒取向,无应变的晶格常数（d002接近dbulk）以及较好的结晶质量。（iv）通过对靶电压、基片偏压、溅射气压以及靶基距等工艺参数的调节,我们发现负氧离子的能量对AZO薄膜的结构影响最大,其次是负离子的通量,然后是正离子的能量,气压和靶基距有一定的影响但影响不大。经过我们的工艺理解和优化,可以在没有人为加热的玻璃衬底上得到电阻率为².6×10-4Ωcm,霍尔迁移率为³7 cm2/（V s）的大面积样品。并且,该工艺可以移植到PET衬底上来。我们的研究结果对于低温磁控溅射制备TCO薄膜都有非常重要的科学意义和工程意义,对于其它氧化物的制备,尤其是结构调控方面也有重要的借鉴意义。