【摘 要】
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研究量子阱部分无序是该论文的重点,我们采用了几种不同的方法来实现异质结界面的无序.在介绍实验工作的同时还加强了理论分析的力度,试图从理论上解释界面混合无序的机制与
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研究量子阱部分无序是该论文的重点,我们采用了几种不同的方法来实现异质结界面的无序.在介绍实验工作的同时还加强了理论分析的力度,试图从理论上解释界面混合无序的机制与预测最佳的实验条件.该论文主要开展了以下的研究工作：一、简要地介绍了半导体异质结的物理性质,外延生长技术,评价了对外延生长的异质结常用的几种质量表征方法,以及量子异质结的界面混合在器件上的一些应用.二、介绍了界面增强扩散的几种典型的机制,包括经典的模型和最近新提出的瞬态增强扩散模型.对于后者作出了一些分析与讨论.最后介绍了目前能实现界面增强扩散的主要的几种方法.三、利用基于K·P理论有效质量近似下的能带计算方法,在算法上采用了传输矩阵（TMM）的方法,对几种典型的量子异质结的能带进行了计算.四、对离子注入后的异质结材料中的应力进行了评价.五、界面混合的实现与分析.
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