本文主要介绍了GaN基蓝光LED具体生长方法，介绍各参数对产品性能的影响，并介绍了一些提高产品性能的手段：　　(1)、首先介绍了GaN的基本性质和生长过程中的主要影响参数，外延生长需要比较高的Ⅴ/Ⅲ比，Ⅴ/Ⅲ比会影响材料的晶体质量情况，高的Ⅴ/Ⅲ可以减小晶体中的螺型位错和刃型位错，提高晶体的质量；高压可以提高原子的表面迁移率，高压下主要是3D生长模式，低压下主要是2D-3D混合生长模式，低压也有利于掺杂，在Al、In掺杂的时候通常采用较低的压力。　　(2)、介绍了PSS衬底对比planar衬底的优越性，PSS衬底可以有效地减少晶体缺陷，XRD测量PSS衬底的002和102面的半高宽都有着很大的下降，而且图形衬底可以增加30％的出光效率；成核阶段中成核的厚度对于PSS衬底的闭合有这很大影响，通过实验我们发现，4min生长时间(20nm-30nm的成核厚度)可以得到最好的晶体质量，粗化层阶段需要较高的压力可以抑制2D生长，通过3D模式来得到更加粗糙的表面；生长速率会影响晶体的质量，生长速率越低得到的晶体质量越好，质量越高缺陷越多，生长速率由1.64μm/H增加到3.66μm/H时，X射线衍射GaN(0002)和(10-12)峰的半高宽分别由233弧秒、263弧秒增加到了247弧秒、366弧秒，为了保更快更好的生长，一般采用2.0μm/H左右的生长速率最为合适。　　(3)、介绍了Si作为电子来源的主要掺杂方法，通过dilute、source和inject等MFC来达到精确控制，Si的掺杂量和掺杂浓度呈线性；在nGaN层和MQW层接触面，我们采用渐变掺杂和间隔掺杂来对电流进行扩展，可以有效的增加器件的静电抗性，也可以减小漏电，两种方法均能提高ESD通过率30％左右，但是渐变掺杂可能会引起工作电压的上升；在nGaN中间我们使用nAlGaN/GaN来控制缺陷向上层的延伸，nAlGaN/GaN超晶格能够将缺陷有效的阻断，同时也能够实现一定的电流扩展，过厚的AlGaN层由于应力会导致表面出现六边形裂纹。　　(4)、分析了InGaN量子阱的发光机理即量子限制starker效应进行电子和空穴的限制，In相分离形成富In区复合发光；研究了InGaN生长过程中温度决定了发光的波长，温度越高，In掺入越困难，低温情况下晶体质量不能得到很好的保证，InGaN生长中采用700-800℃最为适宜，TEGa的流量决定了量子阱的生长速率，阱和垒的厚度越大，其发光波长越长，单色性越差，2.5nm-3nm的阱的宽度发光效率最高同时光色越好；高压不利于In的掺入，压力越大掺入越困难，采用400mbar的压力生长最为适宜；NH3的流量越大，所提供的N气氛保护就越好，对In的掺入有很大的提升；介绍了插入InGaN/GaN预阱层对MQW光学和电学性能的影响，3nm/3nm的预阱层能够有效的释放应力，对于量子阱的极化效应和压电效应都有这很大的抑制，光的单色性和稳定性都有着很大的提升，但是过厚的插入层释放效果不明显，预阱周期过多会引入缺陷，降低器件的ESD能力，漏电也比较显著。