【摘 要】
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人类大脑由于其更高的信号处理速度和在高集成密度中更低功耗的优势,与超级计算机相比具有更优异的计算性能。在人脑的神经网络中,突触是神经元之间传输信号的最小间隙,扮演着模拟逻辑、记忆和学习的角色。作为人工突触的忆阻器可以复制生物突触的基本功能并模拟大脑的工作方式。然而传统氧化物忆阻器在功耗和存储性能方面都陷入了无法提高的瓶颈,因此基于新型材料的忆阻器件的研发变得极其重要。针对上述问题,本研究在当前极为
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人类大脑由于其更高的信号处理速度和在高集成密度中更低功耗的优势,与超级计算机相比具有更优异的计算性能。在人脑的神经网络中,突触是神经元之间传输信号的最小间隙,扮演着模拟逻辑、记忆和学习的角色。作为人工突触的忆阻器可以复制生物突触的基本功能并模拟大脑的工作方式。然而传统氧化物忆阻器在功耗和存储性能方面都陷入了无法提高的瓶颈,因此基于新型材料的忆阻器件的研发变得极其重要。针对上述问题,本研究在当前极为火热的二维材料MXene中发现,有一类五原子型MXene(如Ti3C2)已经被报道用于制备忆阻器并具有双极性开关行为。然而其他三原子型和七原子型的MXene材料还很少被应用于忆阻器中。因此本研究以三原子型V2C MXene为例,通过理论计算比较其与五原子型Ti3C2MXene材料的电学性质和结构稳定性等,并制备出两种Ag/V2C/W和Ag/Ti3C2/W结构的忆阻器进行电学特性测试与比较。同时对脑神经突触可塑性也做了一系列的研究分析,为探索神经形态器件的互联与类脑集成架构提供底层支持。本文主要完成了如下工作内容:1.对两种MXene材料进行了充分的调研,通过基于密度泛函理论的第一性原理计算探究其电学性质和结构稳定性,其中包括能带、态密度(局域态密度和投影态密度)以及声子谱。同时计算了银离子在V2C MXene中的扩散系数和电导率均高于Ti3C2材料。另外,利用V2Al C和Ti3Al C2材料分别制备出V2C和Ti3C2纳米片,对其进行了SEM和XRD物理表征分析,并通过旋涂法制备了MXene阻变层,将其引入忆阻器中。2.本文制备了两种Ag/V2C/W与Ag/Ti3C2/W结构的器件,并进行了多项电学测试对比其特性的差异以探究三原子型和五原子型MXene的引入对器件性能的影响。在这项工作中可以发现,两种结构的器件都表现出阻变开关特性,同时阻态也具有良好的保持能力。但是基于三原子型V2C MXene的器件表现出更好的稳定性和均一性,同时其开关比高于Ag/Ti3C2/W器件1000倍左右,并且在循环测试中高/低阻态的离散程度也低于Ag/Ti3C2/W器件。该项工作表明三原子型V2C MXene也可以成为忆阻器的阻变层,同时可能由于银离子在V2C MXene中的高扩散系数和高电导率,导致Ag/V2C/W器件中会生成较强的导电细丝,这也使得器件在稳定性和均一性等方面更优于Ag/Ti3C2/W器件。3.由于Ag/V2C/W忆阻器表现出出色的重复特性和稳定的保持特性,本文又进一步研究了其在神经网络中的突触仿生,如连续电导调控行为、短时程可塑性模拟(如双脉冲易化)和尖峰时序依赖可塑性(STDP)等脑神经可塑性等。研究结果表明该器件可以通过调控突触权重来成功模拟人脑神经突触的功能,展示出器件应用在神经网络中的优异潜力。
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