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高功率半导体激光器无论是作为泵浦源还是应用到其他方面，都需要在一定温度范围下有一个较窄的稳定的光谱(＜1nm)。普通宽条形高功率半导体激光器在实际应用中的谱线宽度值比较大(4-5nm)，并且波长随温度变化稳定性不好(0.3-0.4nm/K)。可以在激光器内部引入光栅器件或者在激光器外部用体布拉格光栅(VBG)来达到压缩线宽的作用。为了达到最佳无损耗的状态，低成本VBG波长锁定装置能在保证输出功率和转换效率的情况下，使激光器的远场发散角较小。相比之下，加入内置光栅的激光器才能达到最小的制备成本，在保证良好的性能的同时省去了复杂的外部光电器件。所以设计制备了含有内置光栅的高功率波长锁定分布反馈半导体激光器(DFB-LD)。 本文的主要工作有三部分:1、提出了二阶高功率DFB-LD边发射的可能性，并且在理论基础上设计DFB-LD的内置二阶光栅，为了输出高功率和达到波长锁定，确定光栅的周期，占空比和光栅层的厚度等光栅参数。2、利用全息曝光系统制备二阶光栅，并且不断优化工艺流程，最后制备出具有二阶光栅的边发射DFB-LD完整器件。3、对制备完成的二阶DFB-LD性能进行了测试和分析，实验结果显示具有二阶光栅的边发射DFB-LD能够输出高功率，波长稳定，温漂系数小的激光器。