随着芯片集成度的不断提高,电子封装向小型化、轻量化和高性能的方向发展,使得电路的工作温度不断上升,系统单位体积发热率不断增大导致系统工作不稳定。为了获得稳定的性能,必须需要改善散热条件,从而导致电子封装在微电子领域的重要性不断提升,伴随着新型电子封装材料的需求也在不断增加。B4C陶瓷材料由于其密度低、熔点高、硬度高、抗疲劳性能好、耐腐蚀抗氧化性能强以及热膨胀系数低等特点,在高温结构材料方面应用较多。如果我们能克服碳化硼导热率低的特点,B4C陶瓷材料将会是一个非常有前景的电子封装基板材料。为了提高碳化硼陶瓷材料的导热性能,我们采取了高温真空无压浸渗法、埋粉渗Si法、类粉末冶金法制备了碳化硼-碳基陶瓷复合材料,采用无压浸渗法制备了B4C/Cu复合材料,目的是通过在复合材料中引入热导率较高的金属相来提高材料的热导率。为了在复合材料中引入更多的液相,我们采用埋粉渗硅法、类粉末冶金法1600°C下获得碳化硼-碳复合陶瓷,然后1200℃、100MPa热等静压下降低材料中存在的气孔或缺陷。本文通过高温真空无压烧结碳化硼-石墨复合材料、埋粉渗Si法、类粉末冶金法制备了碳化硼-碳基陶瓷复合材料,并研究了其导热性能,结果表明材料导热性能较纯碳化硼提高不大。为了提高材料的导热性,我们采取无压浸渗法,为了获得好的润湿性,浸渗温度必须在铜熔点1140℃以上,通过1800°C真空无压烧结碳化硼,然后1600°C无压浸渗金属铜,获得了B4C/Cu陶瓷复合材料中B4C体积分数占60%,复合材料致密度90%以上的复合材料,得到比前述工艺更好的导热性,可以预测尽管Cu在复合材料中所占质量分数不多,但只要形成了连通骨架,将会很大程度上提高复合材料的导热性能。同时还研究了材料的导热机制,结果表明,金属铜的含量、碳化硼颗粒大小、成型压力都对复合材料的导热性能有重要影响。