以石墨烯为代表的二维层状材料是近些年来的研究热点之一,在很多领域有着潜在的应用,包括（光）电子学、催化、传感器、能量存储和转化以及气体的分离等等。优异的力学性能、多样的电子性质以及良好的光学特性使得过渡金属硫族化合物（Transition Metal Dichocolgenide,TMDCs）在众多二维材料中脱颖而出。最近的一项研究发现,二碲化钨（WTe₂）在极低温和极高磁场下具有非饱和的巨大磁电阻效应。这为TMDCs在费米能级附近的精细能带结构的研究开辟了一条新的道路。本论文主要利用第一性原理计算方法,系统地对两类过渡金属硫族化合物,ReTaTe₄层状材料和MoB₂X（X=S,Se,Te）单层材料的物理性质（包括其稳定性研究以及电子性能）进行了研究,并对这两类材料的电子结构在费米能级附近的能带细节情况进行了探讨,发现ReTaTe₄层状材料和MoB₂Te单层材料可能是很好的磁电阻材料。其主要内容如下:1.发现WTe₂单层费米能级处的电子和空穴载流子浓度均对晶格变化非常敏感,通过晶格拉伸计算研究了有限温度对电子结构的影响。研究了与WTe₂具有相同晶体结构的ReTaTe₄层状材料及能带结构,讨论了该ReTaTe₄层状材料可能的磁电阻效应。2.采用非金属元素替换的方法,在金属二硫族化合物里寻找可能具有合适“电子-空穴”配对的电子材料。通过研究MoB₂X（X=S,Se,Te）等一系列二维层状材料发现MoB₂Te材料在费米能级附近有比例接近的电子-空穴能带,表明MoB₂Te可能具有很好的磁电阻性能。