随着电力电子技术的不断发展,传统硅（Si）基电力电子器件已经逐步接近其物理极限,因此以SiC MOSFET为代表的第三代宽禁带功率半导体器件应运而生。作为一种新型器件,SiC MOSFET驱动和保护技术还有待进一步发展,因此,可靠且高效的SiC MOSFET驱动保护技术的研究显得极为重要。本文首先介绍了SiC MOSFET基本物理结构、开关特性和主要技术参数,并详细分析了SiC MOSFTE驱动器设计的关键参数。其次,详细分析了传统驱动电路的结构及其优缺点,在此基础上设计了基于FPGA实现的SiC MOSFET数字化驱动保护电路,实现了栅极驱动电压V_GS和栅极驱动电阻R_G可变。并结合SiC MOSFET开关特性详细分析了数字化驱动方案的控制策略及工作原理。最后,分析了SiC MOSFET常见的短路故障类型,详细介绍了V_DS退饱和、dI_D/dt检测两种短路检测方法及其电路设计。分析了SiC MOSFET过电压、驱动器欠压类型及其保护电路设计。为验证所设计数字化驱动保护电路的可靠性与优越性,搭建了双脉冲及短路测试平台,在此基础上详细分析了驱动回路参数如R_G、V_GS等对SiC MOSFET开关特性的影响。根据对比实验,验证了相比传统驱动电路,可变V_GS和R_G的数字化驱动方案,可有效控制开关过程中的漏极电流斜率dI_D/dt、漏源极电压斜率dV_DS/dt,在增加开关速度的同时,能够降低电流电压尖峰,抑制开关振荡。并通过V_DS退饱和保护电路,在分析了SiC MOSFET短路特性的基础上,采用降栅压和大电阻两种软关断方式关断器件,验证了其在降低关断电压过冲,改善短路特性方面的优越性,并且以数字化的方式实现了V_DS退饱和检测盲区时间(T_blank)、软关断时间(T_soft)可调,充分发挥了数字化驱动保护电路的优点。图62幅,表12个,参考文献57篇