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随着世界进入信息化时代,人类积累的信息量迅速增加,需要存储、处理和传递的信息量也越来越大,因此,提高相变光盘的存储密度成为重要的研究方向。学者们研究发现短波长激光能提高存储密度,但导致存储信噪比变低,影响存储质量。基于此,本论文采用紫外短波长激光诱导Sn-Ge2Sb2Te5(Sn-GST)材料晶化,改善信噪比低的问题。首先采用磁控溅射法制备不同掺Sn浓度的Sn-GST薄膜材料,然后通过等温退火和激光辐照两种方式诱导Sn-GST薄膜晶化。首先,通过对不同掺Sn浓度的Sn-GST薄膜材料的DSC的研究发现,Sn的掺杂降低了GST材料的晶化温度和相变激活能,并且随着Sn的含量增加,晶化温度和相变激活能减小幅度加大。然后退火处理沉积态的Sn-GST薄膜样品,采用XRD、分光光度计等表征手段,分析了Sn元素的加入对GST材料结构的影响以及Sn元素引起的Sn-GST薄膜材料反射率对比度的提高。进而分析了Sn原子的加入引起这种改变的原因。在用激光诱导Sn-GST薄膜材料晶化的试验中,得到紫外激光诱导Sn-GST薄膜材料发生晶化的能量密度范围为20mJ/cm2-80 mJ/cm2,当能量密度超过80mJ/cm2时,薄膜材料发生融化。通过XRD的表征手段发现激光诱导晶化和退火处理对薄膜材料结构的改变是一样的,即晶态的Sn-GST仍保持原来的NaCl结构,但是增大了GST材料的晶格常数。进而使用拉曼测试对Sn-GST薄膜材料的结构进一步表征,发现拉曼特征峰出现红移现象,该原因可以解释为Sn成键的振动引起的。通过分光光度计测量了激光诱导Sn-GST薄膜材料时反射率对比度的提升,发现其与退火处理时反射率的提升基本一致,都使薄膜材料的光学对比度由15%(Ge22Sb22Te56)增加到30%(Sn8Ge15Sb23Te54)进而增加到40%(Sn14Ge9Sb24Te53),并且光学对比度随着激光能量密度的改变变化不大,成功解决了短波长激光诱导相变材料时信噪比低的问题。最后通过AFM的表征手段阐述了Sn元素的掺入对GST材料结晶行为的影响,发现,随着Sn元素的加入,薄膜样品发生晶化更容易,并且结晶性更好,结晶更均匀。通过探究Sn元素的掺入对GST材料反射率对比度的提高以及对晶态GST结构和结晶行为的影响,使短波长激光实现光盘信息存储成为可能,并且对未来实现大密度存储的研究具有重要的理论指导意义。