目前国内外虽然对GIS的局部放电问题研究取得了很大成就，然而以往研究多集中在同轴结构GIS，而关于应用非常广泛的三相共筒式GIS局部放电问题研究报道不多。三相共筒式GIS相比三相分筒式GIS结构紧凑，内部承受的工作场强更高，电场分布更不均匀，对设备的绝缘性能有更高的要求。因此，对三相筒式GIS局部放电进行专门研究非常必要。通过阅读相关文献，对目前国内外所有关于GIS局部放电检测的方法进行分类总结，分析各种方法的优缺点，最后选择特高频法(UHF)作为本文局部放电的检测方法；对GIS内局部放电产生的高频电磁波在GIS中的传播和衰减特性及特高频检测法的详尽阐述，便于实现特高频传感器的合理布置。采用Ansoft12仿真软件对三相共筒式GIS内部有无缺陷情况下的三维静电场进行仿真计算，研究其内部静电场分布规律，并确定了金属微粒缺陷的起始放电场强，为局部放电检测试验缺陷模型的设置及局部放电理论研究奠定基础。建立了局部放电试验平台，此平台由试验装置、检测设备、放电模型三部分组成。然后采用UHF法对三相共筒式GIS内部三种模拟的固定金属微粒故障导致的局部放电进行试验研究，包括GIS高压导体固定尖刺、内壁上固定尖刺、盘式绝缘子上固定金属颗粒，得出每种缺陷的放电谱图，对每种谱图的特征进行研究分析，建立图谱特征库，为局部放电现场检测提供参考。提取了偏移度Sk、陡峭度Ku、局部峰点数Pe、互相关系数Cc、放电因数Q五种统计特征参数，研究了缺陷尺寸对局部放电起始场强的影响，对局部放电识别具有重要的价值。