【摘 要】
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有机半导体材料(OSCs)有着广泛潜在应用,其性能的优劣直接决定了有机器件性能的好坏。因此从微观理解并设计探究新型高性能有机半导体化合物具有重要的意义。本文采用密度泛函理论(DFT)并结合Marcus-Hush跃模型,对三类有机半导体材料体系进行了理论研究。1、选取了五种全氟代苯修饰寡聚噻吩单晶化合物,并计算了各个化合物电子和空穴重组能、电离能、电子亲和能以及电子和空穴迁移率等性质。结果显示增加噻
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有机半导体材料(OSCs)有着广泛潜在应用,其性能的优劣直接决定了有机器件性能的好坏。因此从微观理解并设计探究新型高性能有机半导体化合物具有重要的意义。本文采用密度泛函理论(DFT)并结合Marcus-Hush跃模型,对三类有机半导体材料体系进行了理论研究。1、选取了五种全氟代苯修饰寡聚噻吩单晶化合物,并计算了各个化合物电子和空穴重组能、电离能、电子亲和能以及电子和空穴迁移率等性质。结果显示增加噻吩环有利于降低LUMO轨道能级、降低重组能。这有利于电子的注入和空气稳定性的提升。其中A3的空穴迁移率(
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