【摘 要】
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氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族的宽禁带半导体氧化物材料,禁带宽度是3.37eV,室温下它有较高的激子束缚能,可达60meV。由于其优良的光电、压电、热电、催化等优良特性,氧化锌在LED、液晶显示
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氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族的宽禁带半导体氧化物材料,禁带宽度是3.37eV,室温下它有较高的激子束缚能,可达60meV。由于其优良的光电、压电、热电、催化等优良特性,氧化锌在LED、液晶显示器、太阳能电池、气敏元件、压敏电阻、表面声波器件等领域具有广阔的应用前景。经过研究表明,可以通过掺杂制备出更加具有优异性能的ZnO材料。在本论文中,详细地介绍了ZnO的晶体结构和薄膜的特性及在集成光学上的应用,综合了各种制备ZnO薄膜方法的的优缺点,选取了超声喷雾热解(USP)方法,在实验中以硅片和石英玻璃分别为衬底,以乙酸锌为前驱体溶液来制备纯的ZnO薄膜,并以乙酸锌、硝酸镁和醋酸钠为前驱体溶液制备了Na-Mg共掺杂的ZnO薄膜。通过利用SEM、XRD、PL谱等测试技术对样品进行表征,分别对制备的薄膜的晶格结构、样品形貌、结晶质量、带隙宽度等进行了研究分析。其结果表明:Na-Mg共掺杂提高了ZnO薄膜的C轴择优取向生长,通过改变掺杂的浓度,在Na-Mg共掺杂的ZnO薄膜中,Na+浓度为0.02时具有比较优异的结晶和光学性能,在薄膜的PL谱中,可以明显的观察到一个强度很大的紫光发射峰,它紫光发射峰的强度和纯的ZnO薄膜相比增强了近7倍,足以证明Na+的浓度为0.02时具有比较优异的光学性能。通过分析实验结果及数据图谱,总结最佳条件为当Na+浓度为0.02、衬底温度为500℃时、喷嘴到衬底的距离为5cm、氧气流量为1.8L/min时所制备的Na-Mg共掺杂的ZnO薄膜效果最优。
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