青蒿素是一种低毒、高效的抗疟药物，同时对许多肿瘤细胞都有一定的毒性，青蒿素类化合物和类似物的研究引起了世界范围的广泛兴趣，近些年来这方面的研究也取得了不少进展。 本论文采用电分析化学方法对青蒿素进行研究，发现青蒿素于20％乙醇（v/v）+B-R缓冲溶液（Britton-Robinson缓冲溶液）（pH=7.2）中在玻碳电极和银电极上都有一不可逆的还原峰，峰电位分别为-0.87V和-0.64V（vs.SCE），对两种电极上的电化学行为进行了比较，采用二次微分线性扫描技术建立了青蒿素的定量分析，在玻碳电极上，其线性范围为1.0×10^-5～1.0×10^-3mol/L（r=0.9961），检出限为5.0×10^-6mol/L；在银电极上，线性范围为6.0×10^-6～1.0×10^-3mol/L（r=0.9997），检出限为2.0×10^-6mol/L，与中华人民共和国药典中所述的紫外吸收光谱法进行了比较，结果满意。 研究了血红素对青蒿素的电催化作用，结果表明血红素能够催化青蒿素的电化学还原，在银电极上青蒿素的还原过电位降低了90mV，在玻碳电极上降低了320mV，并对其催化机理进行了探讨。此外，也研究了血红蛋白在电极上的层层自组装膜对青蒿素的电催化作用，并用原子力显微镜，荧光光谱，紫外光谱对层层自组装膜进行了表征。 对L-半胱氨酸（或是谷胱甘肽）-青蒿素二元体系以及L-半胱氨酸（或是谷胱甘肽）-青蒿素-表面活性剂三元体系的电化学行为进行研究。实验发现当青蒿素浓度为1.0×10^-3mol/L，L-半胱氨酸浓度（或是谷胱甘肽）≥2.0×10^-5mol/L时，在二元体系中形成了L-半胱氨酸-青蒿素（或谷胱甘肽-青蒿素）加合物，该加合物在-1.03V（或-0.96V）电位下还原；当青蒿素浓度为1.0×10^-3mol/L，L-半胱氨酸浓度（或是谷胱甘肽）≥4.0×10^-5mol/L时，加入阳离子表面活性剂（DBDAB），在三元体系中形成了L-半胱氨酸-青蒿素-DBDAB（或谷胱甘肽-青蒿素-DBDAB）三元加合物，该加合物在-0.93V（或-0.88V）电位下还原，并用紫外及红外光谱对加合物进行辅助表征，对二元、三元加合物的形成机理进行了探讨。