在TiN薄膜的基本物理性能的基础上,本文提出制备具有低辐射和阳光控制的设想的TiN镀膜玻璃。本文采用反应磁控溅射法制备TiN薄膜,并分别在沉积时间、工作总压、溅射功率、氮气分压、基底温度,和衬底偏压上进行参数控制,研究各个参数控制条件下TiN薄膜沉积速率、致密性及微观结构、形貌、成分、生长取向的规律;分析TiN薄膜在紫外-可见-近红外波段的透光性能,以及各种因素对氮化钛薄膜电阻率和中远红外光反射率的影响。研究结果表明:对TiN薄膜结构、形貌和性能影响最大的是氮气分压、基底温度和衬底偏压。本文着重对这三个参数对TiN薄膜微观结构、生长取向及性能的影响进行了较为深入的分析和研究,并获得了一些相关规律。此外也讨论了靶材烧蚀坑对薄膜质量的影响。对氮化钛薄膜的光学性能研究表明:随着沉积时间、氩氮比和系统偏压的增加,薄膜对紫外-可见-近红外光的透光率呈有规律地下降,表现出很好的对可见光和近红外光的光谱选择性。基底温度的升高使薄膜的透光性小幅增强。可见光的透光率在35%～57%,表现出很好的透光性能。薄膜的方块电阻迅速从无穷大下降到接近导体的电阻,同时使其对中远红外光的反射率大幅升高。在镀膜时间为4min,总压为0.4Pa,靶功率为96W、基底温度为300℃、偏压为0V、氩氮流量比λ_Ar/N2=23的条件下沉积的TiN薄膜表现出良好的阳光控制和低辐射性能。