基于磁场闪络抑制效应的真空沿面闪络特性研究

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真空沿面闪络是发生在绝缘体与真空界面上的一种贯穿性放电现象。由于绝缘体与真空界面的沿面闪络电压比相同距离下真空击穿电压和绝缘材料体击穿电压低很多,因此,真空固体绝缘界面往往是脉冲功率系统中的最薄弱环节,也是国内外高电压绝缘技术研究的重点之一。真空沿面闪络的形成一般分为以下三个阶段:初始电子形成阶段、电子倍增阶段和形成贯穿性导电通道阶段。目前,对真空沿面闪络机理的解释存在阳极激发、阴极激发等多种假说或模型,其中被广泛认可的模型是二次电子发射雪崩(Secondary Electron Emission
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